前英特尔CEO押注Z2RAM！无电容内存搞定300秒高温保持：速度14倍于DRAM
快科技11月7日消息，据报道，由前英特尔CEO帕特·基辛格通过Playground Global领投500万美元（快科技注：约合人民币3359万元）的初创公司Nagare Labs，公布了其Z2RAM内存架构的最新进展。该技术试图用无电容设计，解决AI芯片面临的速度与密度困境。
前英特尔CEO押注Z2RAM！无电容内存搞定300秒高温保持：速度14倍于DRAM
Z2RAM的核心是彻底抛弃DRAM必需的独立电容。传统DRAM读取时电容被放空，必须立刻回写；而Z2RAM利用第二个晶体管的栅极电容来保存电荷，读取过程不破坏数据，天然省掉了回写环节，延迟显著优于DRAM。实验室数据是当前最硬的支撑。在最高85摄氏度的高温下，Nagare Labs的研究型单元实现了超过300秒的数据保持时间，而传统三晶体管设计在同等温度下仅能保持100毫秒。这意味着在AI芯片头疼的高温环境中，原型已展示出足够的稳定性。
制造路径同样绕开瓶颈。Z2RAM采用氧化物半导体材料，走标准后段制程，多层存储可通过单次光刻曝光成形，完全不需要昂贵的EUV光刻机，理论上有望大幅压低制造成本。但必须区分实验室实测与产品预测。300秒保持时间是研究单元的真实数据；而初代产品宣称的5倍SRAM密度、14倍DRAM速度，目前仍是基于设计目标与仿真预测，尚未在单颗芯片上同时实现。
按照规划，Nagare Labs的目标是在四年内推出可工作的样品。基辛格曾表示自己只找比现有技术好至少10倍的技术。Z2RAM能否从原型走进晶圆厂，将决定AI芯片的内存墙是被凿开一个洞，还是又停留在PPT上。
前英特尔CEO押注Z2RAM！无电容内存搞定300秒高温保持：速度14倍于DRAM
【本文结束】出处：快科技
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