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快科技6月20日消息，SK海力士于6月15日至18日参加了在美国拉斯维加斯威尼斯人会议中心举行的HPE Discover Las Vegas 2026（HPED 2026）。该展会是惠普企业每年举办的全球技术会议，聚焦AI、云计算与网络基础设施的变革趋势。SK海力士在展会现场搭建了英伟达下一代AI平台Vera Rubin的内部结构模型，并围绕该模型陈列了16层48GB HBM4、12层36GB HBM4以及12层36GB HBM3E的实...
分类：内存 阅读：185 次 评论：0 次 发布时间：2026-06-21
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快科技6月16日消息，据媒体报道，近日SK海力士宣布，其375层第10代3D NAND闪存已完成生产验证，计划年底在清州M15工厂启动量产。这款产品最初规划为400层，因工艺难度有所下调，但真正的突破在于：字线金属栅极首次用钼取代了沿用十余年的钨。钼并非首次登上半导体舞台。早在2024年4月，三星量产的286层产品中就已率先引入钼，其第十代400层以上产品定于2026年下半年面世。美光则在NAND与DRAM双线布局。国金证券研报指出，全...
分类：内存 阅读：130 次 评论：0 次 发布时间：2026-06-16
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快科技6月11日消息，据报道，SK海力士已完成375层NAND闪存的量产验证，正将清州M15工厂的原产线从176/238/321层升级改造为375层产品产线，计划于2026年底前实现量产。该产品最初规划为400层架构，受超高层数堆叠的量产工艺限制，最终被迫调整为375层。业内人士透露，后续将依次推出480层、604层产品。为弥补层数折损，375层产品首次在字线金属栅极中以钼（Mo）部分替代传统钨（W）材料。这是由于超高层堆叠导致钨基字线...
分类：内存 阅读：210 次 评论：0 次 发布时间：2026-06-11
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快科技2月12日消息，据媒体报道，SK海力士近期公布了其新一代LPDDR6内存模块的规格。该模块基于1cnm DRAM制造工艺，单颗容量为16Gb，传输速率达到14.4Gbps，已触及现阶段JEDEC标准上限，是目前公开规格中最快的LPDDR6产品。SK海力士计划推出16Gb LPDDR6模块 速率达14.4Gbps作为面向端侧AI场景深度优化的通用存储器，其在数据处理速度和能效方面较前代均有显著提升。与此同时，三星也在持续推进LPDD...
分类：内存 阅读：215 次 评论：0 次 发布时间：2026-02-12
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快科技6月5日消息，据媒体报道，强劲的HBM需求正重塑全球DRAM市场格局。 作为英伟达高带宽存储器（HBM）的供应商，SK海力士因此显著提升了其DRAM业务收入，并带动整体业绩增长。市场研究机构最新报告显示，SK海力士在2025年第一季度取代三星电子，成为全球DRAM营收最高的厂商。这是自1992年以来三星首次失去这一宝座。从市场研究机构Omdia的数据来看，SK海力士DRAM业务部门在今年一季度的营收为97.18亿美元，虽然不及去年...
分类：内存 阅读：221 次 评论：0 次 发布时间：2025-06-05
